M3UT-4GSSB50E-E
4 Гб, DDR3, U-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Sorting Wide Temp., 1 x rank , 1 x side
Объём | 4 Гб |
Тип DRAM | DDR3 |
Лог. организация | 512Mx8 |
Тактовая частота | 1866MT/s |
Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
Тип модуля | U-DIMM | Производитель | Innodisk |