M3U0-4GSSNCQE
4 Гб, DDR3, U-DIMM VLP, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, VLP, 1 x rank , 1 x side
| Тактовая частота | 1866MT/s |
| Тип DRAM | DDR3 |
| Тип модуля | U-DIMM VLP |
| Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
| Объём | 4 Гб |
| Лог. организация | 512Mx8 | Производитель | Innodisk |