M3U0-2GSJNCQE
2 Гб, DDR3, U-DIMM VLP, 1866MT/s, 256Mx8, Samsung, VLP, 1 x rank , 1 x side
| Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
| Тактовая частота | 1866MT/s |
| Лог. организация | 256Mx8 |
| Тип DRAM | DDR3 |
| Тип модуля | U-DIMM VLP |
| Объём | 2 Гб | Производитель | Innodisk |