M3UT-2GSJNCN9-F
2 Гб, DDR3, U-DIMM VLP, 1333MT/s, 256Mx8, Samsung, VLP, 1 x rank , 1 x side
Лог. организация | 256Mx8 |
Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
Тактовая частота | 1333MT/s |
Объём | 2 Гб |
Тип DRAM | DDR3 |
Тип модуля | U-DIMM VLP | Производитель | Innodisk |