M3C0-8GSS3CQE
8 Гб, DDR3, ECC U-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, WECC, 2 x rank , 2 x side
Тип DRAM | DDR3 |
Лог. организация | 512Mx8 |
Тактовая частота | 1866MT/s |
Объём | 8 Гб |
Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
Тип модуля | ECC U-DIMM | Производитель | Innodisk |