M3C0-4GSS1CQE
4 Гб, DDR3, ECC U-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, WECC, 1 x rank , 1 x side
| Тактовая частота | 1866MT/s |
| Лог. организация | 512Mx8 |
| Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
| Объём | 4 Гб |
| Тип модуля | ECC U-DIMM |
| Тип DRAM | DDR3 | Производитель | Innodisk |