M3U0-4GSSBCQE
4 Гб, DDR3, U-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Commercial, 1 x rank , 1 x side
| Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
| Лог. организация | 512Mx8 |
| Объём | 4 Гб |
| Тактовая частота | 1866MT/s |
| Тип DRAM | DDR3 |
| Тип модуля | U-DIMM | Производитель | Innodisk |