M3UT-2GSVHC0E-E
2 Гб, DDR3, U-DIMM, 1866MT/s, 256Mx16, Samsung, Commercial, 1 x rank , 1 x side
| Тактовая частота | 1866MT/s |
| Тип модуля | U-DIMM |
| Объём | 2 Гб |
| Лог. организация | 256Mx16 |
| Тип DRAM | DDR3 |
| Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C | Производитель | Innodisk |