M3CT-4GSS1CN9-E
4 Гб, DDR3, ECC U-DIMM, 1333MT/s, 512Mx8, Samsung, WECC, 1 x rank , 1 x side
Тип DRAM | DDR3 |
Тип модуля | ECC U-DIMM |
Лог. организация | 512Mx8 |
Объём | 4 Гб |
Тактовая частота | 1333MT/s |
Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C | Производитель | Innodisk |