M3S0-4GSJUCQE
4 Гб, DDR3, SO-DIMM VLP, 1866MT/s, 256Mx8, Samsung, VLP, 2 x rank , 2 x side
| Тип модуля | SO-DIMM VLP |
| Лог. организация | 256Mx8 |
| Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
| Тип DRAM | DDR3 |
| Тактовая частота | 1866MT/s |
| Объём | 4 Гб | Производитель | Innodisk |