M3ST-4GSSECN9-E

M3ST-4GSSECN9-E
4 Гб, DDR3, SO-DIMM VLP, 1333MT/s, 512Mx8, Samsung, VLP, 1 x rank , 2 x side
Цена:
3 053.61
Наличие: 0
Сравнить
Тип DRAM DDR3
Лог. организация 512Mx8
Тип модуля SO-DIMM VLP
Темп. работы (°С) 0°C ~ 85°C
Тактовая частота 1333MT/s
Объём 4 Гб
Производитель Innodisk