M3ST-4GSJUCN9-F
4 Гб, DDR3, SO-DIMM VLP, 1333MT/s, 256Mx8, Samsung, VLP, 2 x rank , 2 x side
Тип модуля | SO-DIMM VLP |
Лог. организация | 256Mx8 |
Тип DRAM | DDR3 |
Тактовая частота | 1333MT/s |
Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
Объём | 4 Гб | Производитель | Innodisk |