M3S0-4GSV0CQE
4 Гб, DDR3, SO-DIMM, 1866MT/s, 256Mx16, Samsung, Commercial, 2 x rank , 1 x side
Тип модуля | SO-DIMM |
Лог. организация | 256Mx16 |
Тактовая частота | 1866MT/s |
Тип DRAM | DDR3 |
Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
Объём | 4 Гб | Производитель | Innodisk |