M3DT-4GSS2CN9-E
4 Гб, DDR3, ECC SO-DIMM, 1333MT/s, 512Mx8, Samsung, WECC, 1 x rank , 2 x side
| Тип DRAM | DDR3 |
| Тактовая частота | 1333MT/s |
| Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
| Тип модуля | ECC SO-DIMM |
| Объём | 4 Гб |
| Лог. организация | 512Mx8 | Производитель | Innodisk |