M3C0-8GSS5CQE
8 Гб, DDR3, ECC U-DIMM VLP, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, VLP, 2 x rank , 2 x side
| Объём | 8 Гб |
| Лог. организация | 512Mx8 |
| Тактовая частота | 1866MT/s |
| Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
| Тип модуля | ECC U-DIMM VLP |
| Тип DRAM | DDR3 | Производитель | Innodisk |