M3CT-4GSJ5C0E-F
4 Гб, DDR3, ECC U-DIMM VLP, 1866MT/s, 256Mx8, Samsung, VLP, 2 x rank , 2 x side
| Тактовая частота | 1866MT/s |
| Лог. организация | 256Mx8 |
| Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
| Тип DRAM | DDR3 |
| Тип модуля | ECC U-DIMM VLP |
| Объём | 4 Гб | Производитель | Innodisk |