M3C0-4GSJ5CQE
4 Гб, DDR3, ECC U-DIMM VLP, 1866MT/s, 256Mx8, Samsung, VLP, 2 x rank , 2 x side
| Тип DRAM | DDR3 |
| Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
| Тактовая частота | 1866MT/s |
| Лог. организация | 256Mx8 |
| Объём | 4 Гб |
| Тип модуля | ECC U-DIMM VLP | Производитель | Innodisk |