M3C0-8GSS5CN9
8 Гб, DDR3, ECC U-DIMM VLP, 1333MT/s, 512Mx8, Samsung, VLP, 2 x rank , 2 x side
Лог. организация | 512Mx8 |
Объём | 8 Гб |
Тактовая частота | 1333MT/s |
Тип DRAM | DDR3 |
Тип модуля | ECC U-DIMM VLP |
Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C | Производитель | Innodisk |