M3C0-4GSS15QE
4 Гб, DDR3, ECC U-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Sorting Wide Temp., 1 x rank , 1 x side
Объём | 4 Гб |
Тип DRAM | DDR3 |
Тактовая частота | 1866MT/s |
Лог. организация | 512Mx8 |
Тип модуля | ECC U-DIMM |
Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C | Производитель | Innodisk |