M3S0-4GSSCCQE
4 Гб, DDR3, SO-DIMM, 1866MT/s, 512Mx8, Samsung, Commercial, 1 x rank , 2 x side
Тип DRAM | DDR3 |
Тип модуля | SO-DIMM |
Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
Тактовая частота | 1866MT/s |
Объём | 4 Гб |
Лог. организация | 512Mx8 | Производитель | Innodisk |