M3S0-4GSSECN9
4 Гб, DDR3, SO-DIMM VLP, 1333MT/s, 512Mx8, Samsung, VLP, 1 x rank , 2 x side
| Тактовая частота | 1333MT/s |
| Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
| Тип DRAM | DDR3 |
| Объём | 4 Гб |
| Тип модуля | SO-DIMM VLP |
| Лог. организация | 512Mx8 | Производитель | Innodisk |