M3D0-4GSS2CN9
4 Гб, DDR3, ECC SO-DIMM, 1333MT/s, 512Mx8, Samsung, WECC, 1 x rank , 2 x side
Лог. организация | 512Mx8 |
Объём | 4 Гб |
Тактовая частота | 1333MT/s |
Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
Тип | DDR3 |
Тип DRAM | DDR3 |
Тип модуля | ECC SO-DIMM | Производитель | Innodisk |