M3C0-4GSJ5CN9
4 Гб, DDR3, ECC U-DIMM VLP, 1333MT/s, 256Mx8, Samsung, VLP, 2 x rank , 2 x side
| Объём | 4 Гб |
| Тактовая частота | 1333MT/s |
| Тип модуля | ECC U-DIMM VLP |
| Темп. работы (°С) | 0°C ~ 85°C |
| Тип DRAM | DDR3 |
| Лог. организация | 256Mx8 | Производитель | Innodisk |